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六合风云网GaN功率器件产值或年增906%2021年第三代

发布时间: 2021-06-15

  根据TrendForce集邦咨询调查,2018至2020年第三代半导体产业陆续受到中美贸易摩擦、疫情等影响,整体市场成长动力不足致使成长持续受到压抑。然受到车用、工业与通讯需求助力,2021年第三代半导体成长动能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成长力道最为明显,预估其

  TrendForce集邦咨询进一步表示,首先,预期疫苗问世后疫情有所趋缓,进而带动工业能源转换所需零组件如逆变器、变频器等,以及通讯基站需求回稳;

  其次,随着特斯拉(Tesla)Model 3电动车逆变器逐渐改采SiC器件制程后,第三代半导体于车用市场逐渐备受重视;

  最后,中国政府为提升半导体自主化,今年提出十四五计划投入巨额人民币扩大产能,上述都将成为推升2021年GaN及SiC等第三代半导体高速成长的动能。

  观察各类第三代半导体器件,GaN器件目前虽有部分晶圆制造代工厂如台积电(TSMC)、世界先进(VIS)等尝试导入8英寸晶圆生产,然现行主力仍以6英寸为主。

  因疫情趋缓所带动5G基站射频前端、手机充电器及车用能源传输等需求逐步提升,预期2021年通讯及功率器件营收分别为6.8亿和6,100万美元,年增30.8%及90.6%。

  其中,GaN功率器件年增最高的主因是手机品牌如小米(Xiaomi)、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充电头,凭借高散热效能与体积小的产品优势获得消费者青睐,截至目前笔电厂商也有意跟进。

  TrendForce集邦咨询预期,GaN器件会持续渗透至手机与笔电配件,且年增率将在2022年达到最高峰,后续随着厂商采用逐渐普及,成长动能将略为趋缓。

  SiC器件部分,由于通讯及功率领域皆需使用该衬底,因而6英寸晶圆的供应量显得吃紧,预估2021年SiC器件于功率领域营收可达6.8亿美元,年增32%。

  目前各大衬底商如科锐(CREE)、贰陆(II-VI)、意法半导体(STMicroelectronics)等已陆续开展8英寸衬底研制计划,但仍有待2022年后才有望逐渐纾缓供给困境。六合风云网